【EC Markets交易官网】DRAM双雄，疯狂扩产

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由于AI服务器针对高频宽记忆体（HBM）的疯狂扩产庞大需求，记忆体制造商不得不将资源优先投入HBM的双雄生产。这种资源集中导致了对标准型DRAM的疯狂扩产排挤效应，进而造成个人电脑、双雄EC Markets交易官网笔记型电脑、疯狂扩产智慧型手机及通用伺服器所需的双雄标准型DRAM供应短缺。为此，疯狂扩产全球第二大记忆体制造商SK海力士（SK Hynix）正采取积极、双雄全面扩大标准型DRAM的疯狂扩产生产规模的行动。

根据韩国超鲜日报的双雄报道，SK海力士的疯狂扩产目标是扩大晶圆厂产能并调整产线配置，使2026年的双雄标准型DRAM供应量预计比2025年增加超过一成。为达成标准型DRAM的疯狂扩产EC外汇官网大幅增产，SK海力士正积极调整其主要晶圆厂M15和M16的生产策略。

报道表示，M16晶圆厂的产能利用率将被提升至提升的同时，针对M15晶圆厂，SK海力士也正在执行一项关键的产能转换计划。具体来说，部分原来是EC安盈官网用于代工业务或生产CMOS图像感测器（CIS）的生产线，将被重新配置并转换为DRAM生产线。通过这种策略性的产能调整与扩大，SK海力士希望能够有效缓解当前标准型DRAM市场的供应紧张局势。

而虽然SK海力士目前是HBM市场的领导者，拥有高达70%至80%的市占率，但该公司也明确认知到，标准型DRAM的市场规模远大于HBM。因此，在巩固其在AI记忆体领先地位的同时，满足标准型DRAM的庞大市场需求，成为公司战略的重心。

另外，SK海力士的积极扩产行动，也是力争记忆体市场领导地位的表现。该公司的目标是在2025年达到DRAM市场市占率第一的目标。然而，市场竞争对手的三星也积极回应。三星同样采取了扩大DRAM产能的策略厂。该公司正在充分利用其P3替代工厂的产能，并计划实现P4直接增加记忆体产能，从而显着增加其记忆体产能。

由于SK海力士与三星半导体记忆体厂商的积极扩产，市场分析普遍预计，2026年全球DRAM供应量将达到两个数字的增长。其中，在资本支出方面，SK海力士曾于2021年做出承诺，计划在2022年至2027年期间投入高达106.2兆韩圜的资金。虽然2025年的资本支出财务计划即将调整，但该公司对于2024年和2025年的记忆体相关投资承诺仍然坚定，这也说明DRAM扩产提供了强有力的力支持。

总结来看，在AI与HBM引领高阶市场的同时，SK海力士产能调整与投资扩大，显示出其仍未放弃更为广泛的通用型DRAM市场，这使得记忆体双雄的市占率争夺战将持续上涨。

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